型号:SP8K4FU6TB | 类别:FET - 阵列 | 制造商:Rohm Semiconductor |
封装:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) | 描述:MOSFET N-CH DUAL 30V 9A 8SOIC |
详细参数
类别 | FET - 阵列 |
---|---|
描述 | MOSFET N-CH DUAL 30V 9A 8SOIC |
系列 | - |
制造商 | Rohm Semiconductor |
FET型 | 2 个 N 沟道(双) |
FET特点 | 逻辑电平门 |
漏极至源极电压(Vdss) | 30V |
电流_连续漏极(Id)0a025000C | 9A |
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C | 17 毫欧 @ 9A,10V |
Id时的Vgs(th)111最大222 | 2.5V @ 1mA |
闸电荷(Qg)0a0Vgs | 21nC @ 5V |
输入电容(Ciss)0a0Vds | 1190pF @ 10V |
功率_最大 | 2W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
供应商设备封装 | 8-SOIC N |
包装 | 带卷 (TR) |
供应商
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