| 型号：SP8K4FU6TB | 类别：FET - 阵列 | 制造商：Rohm Semiconductor |
| 封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 描述：MOSFET N-CH DUAL 30V 9A 8SOIC | |
详细参数
| 类别 | FET - 阵列 |
|---|---|
| 描述 | MOSFET N-CH DUAL 30V 9A 8SOIC |
| 系列 | - |
| 制造商 | Rohm Semiconductor |
| FET型 | 2 个 N 沟道（双） |
| FET特点 | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 30V |
| 电流_连续漏极（Id）0a025000C | 9A |
| 开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C | 17 毫欧 @ 9A，10V |
| Id时的Vgs（th）111最大222 | 2.5V @ 1mA |
| 闸电荷（Qg）0a0Vgs | 21nC @ 5V |
| 输入电容（Ciss）0a0Vds | 1190pF @ 10V |
| 功率_最大 | 2W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装 | 8-SOIC N |
| 包装 | 带卷 (TR) |
供应商
| 深圳市科翼源电子有限公司 | 朱小姐13510998172 |
| 深圳市春东电子有限公司 | 朱先生/王小姐0755-82563615/82563213 |
| 深圳市格雷迪电子有限公司 | 林先生15914072177 |
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